Infineon изгражда първото в света съоръжение за масово производство на GaN компоненти върху 300-mm пластини

03.11.2026   |   Начало»Новини

Редактор
Мира Станкова

Редактор
Мира Станкова

Infineon Technologies обяви, че ще построи първото в света съоръжение за масово производство на GaN силови полупроводникови компоненти от следващо поколение върху 300-mm пластини в Европа. В рамките на проекта компанията ще инвестира около 1,1 млрд. евро в съществуващите си чисти помещения в производствената си база във Вилах до 2034 г. Използването както на съществуваща, така и на модернизирана инфраструктура се очаква да позволи високо ефективно и рентабилно разширяване на производствения капацитет. По план производствената дейност трябва да стартира в края на 2027 г.

"Инвестицията на Infineon цели да отговори на бързо растящото търсене на високопроизводителни силови решения. Галиевият нитрид (GaN) позволява значително повишаване на ефективността в множество приложения, както центрове за данни с изкуствен интелект, енергийна инфраструктура, електромобилност, роботика и потребителска електроника", посочват от компанията.

Infineon отчита силни резултати в областта на GaN електрониката. Преди две години компанията успешно произведе първите в света GaN пластини с диаметър 300 mm. Производството на чипове върху 300-mm пластини е по-усъвършенствано и значително по-ефективно от това на 200-mm пластини, тъй като по-големият диаметър на пластината осигурява рандеман от 2,3 пъти повече чипа от пластина. В момента Infineon пренася тази технология в първото в света съоръжение за масово производство.

"Тази значителна инвестиция показва ясния ни ангажимент към укрепването на европейската полупроводникова екосистема и технологичната независимост на Европа. Установявайки масово производство на 300-mm пластини, ние ще бъдем първата компания в света, която стартира масово производство на GaN силова електроника", коментира Йохен Ханебек, главен изпълнителен директор на Infineon Technologies. "По този начин ние прокарваме пътя за широкото използване на галиевия нитрид в голям кръг от ключови приложения в области като изкуствен интелект, енергийна инфраструктура, електромобилност и роботика."

Инвестиционният проект на Infineon ще получи подкрепа в рамките на Европейския законодателен акт за интегралните схеми (European Chips Act). Европейската комисия одобри държавното финансиране, осигурено от австрийското правителство, в размер на 319 млн. евро.

Ключови думи: Infineon Technologies   GaN   силова електроника  

Област: Електроника